|
|||||
|
|
| 超快GaAs:Cr:n光电导器件及应用 | |
| 作者姓名： | 温树槐 杨建伦 杨洪琼 |
| 作者单位： | 成都核物理与化学研究所!成都，610003，成都核物理与化学研究所!成都，610003，成都核物理与化学研究所!成都，610003 |
| 摘 要： | 将加工成一定形状的高电阻率GaAs：Cr：n光电导块放入中子场中辐照，以便减少电荷载流子寿命，再将经过辐照并冷却的GaAs：Cr：n样品置入同轴结构的微带线上。这一技术使GaAs：Cr：n成为皮秒时间响应的光电器件并被用作超高速探测器和光电开关。 |
| 关 键 词： | 时间响应 同轴结构 中子改性 线性电流 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |