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| MgTiO_3掺杂对BST基电容器陶瓷介电性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.汕头高新区松田实业有限公司;2.江苏大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 采用固相法制备了MgTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了MgTiO3掺杂量对(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着MgTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)、介质损耗(tanδ)和耐压强度(Eb)均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4350,tanδ为0.0055,Eb为5.7×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。 |
| 关 键 词： | 陶瓷电容器 铁电体 Mg Ti O3掺杂 钛酸钡锶 介电性能 微观结构 |
Influence of MgTiO3 doping on dielectric properties of BST based capacitor ceramics |
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