| 中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究 |
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| 引用本文： | 贾贞,翁卫祥,袁军林,张杰,李昱,郭太良. 中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究[J]. 光电子技术, 2010, 30(2) |
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| 作者姓名： | 贾贞 翁卫祥 袁军林 张杰 李昱 郭太良 |
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| 作者单位： | 福州大学,物理与信息工程学院,福州,350002 |
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| 基金项目： | 国家"863"计划重大专项，福建省重大科技专项 |
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| 摘 要： | 利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析.结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5 kw溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1 MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.
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| 关 键 词： | AlN薄膜 中频反应磁控溅射 电学性能 导通机制 |
Electrical Properties of AlN Films Deposited by Middle Frequency Magnetron Sputtering |
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| Jia Zhen,Weng Weixiang,Yuan Junlin,Zhang Jie,Li Yu,Guo Tailiang. Electrical Properties of AlN Films Deposited by Middle Frequency Magnetron Sputtering[J]. Optoelectronic Technology, 2010, 30(2) |
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| Authors: | Jia Zhen Weng Weixiang Yuan Junlin Zhang Jie Li Yu Guo Tailiang |
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