| 新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能 |
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| 引用本文： | 刘玉青,邓文基,胡术云.新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能[J].电子产品可靠性与环境试验,2008,26(3). |
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| 作者姓名： | 刘玉青 邓文基 胡术云 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510640 |
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| 摘 要： | 介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL).比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器件在横向扩散MOS(LDMOS)ESD保护电路中有着非常好的效果,可以在功能相当的情况下.大大节省器件的面积.
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| 关 键 词： | 互补型金属氧化物晶体管 埋藏层 静电放电 横向扩散 改善 LDMOS 器件 性能 Device Performance 面积 情况 功能 效果 保护电路 横向扩散 结果 测试数据 比较 结构 影响 阐述 静电放电 |
Improving the ESD Performance of LDMOS Device with New NBL |
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| LIU Yu-qing,DENG Wen-ji,HU Shu-yun.Improving the ESD Performance of LDMOS Device with New NBL[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2008,26(3). |
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| Authors: | LIU Yu-qing DENG Wen-ji HU Shu-yun |
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