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| 980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制 | |
| 引用本文： | 高欣 曲轶 等. 980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制[J]. 光电子．激光, 2003, 14(3): 225-227 |
| 作者姓名： | 高欣 曲轶 等 |
| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划资助项目(51456030201ZS3601) |
| 摘 要： | 利用分子束外延（MBE）方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器。其有源区采用分别限制单量子阱结构，激射波长在980nm左右，阵列器件由48个LD构成，在重复频率300Hz、脉冲宽度200μs的条件下，定温光功率输出达到20W，斜率效率1.1W/A，光电转换效率29％。 |
| 关 键 词： | 阵列激光器 分子束外延 MBE 应变量子阱 分别限制 单量子阱 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)03-0225-03 |
| 修稿时间： | 2002-07-20 |
Fabrication of 980 nm Strained Quantum Well Laser Arrays |
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| Abstract: | |
| Keywords: | molecular beam epitaxy(MBE) strained quantum well separate confine single quantum well |
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