化合物半导体GaAs CdTe核辐射探测器(英文)

叙述了半绝缘砷化镓体单晶表面势垒探测器和碲化镉单晶表面势垒探测器的制备工艺、特性以及它们对低能γ射线~(125)I,~(241)Am,~(57)Co在室温下工作时的能谱响应。着重讨论了欧姆接触所引起的正向电阻的大小对探测器性能的影响。讨论了制备工艺中表面纯化和老化对表面势垒探测器性能的影响,同时研究了欧姆接触制备工艺和所选用来制备欧姆接触的材料如Ni-Ge-Au,In-Ge-Ag等对探测器性能的影响。