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| 应变层Si1—x—yGexCy合金研究 | |
| 引用本文： | 于卓,余金中.应变层Si1—x—yGexCy合金研究[J].半导体杂志,1997,22(2):25-33. |
| 作者姓名： | 于卓 余金中 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文综述了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金的研究进展，包括合金的应变补偿效应，微观结构，能带结构和光电特性等。 |
| 关 键 词： | 合金 应变补偿 能带结构 碳化硅 半导体材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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