| 离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长 |
| |
| 引用本文： | 宋超,杨瑞东,冯林永,杨宇. 离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长[J]. 材料导报, 2007, 21(8): 140-142 |
| |
| 作者姓名： | 宋超 杨瑞东 冯林永 杨宇 |
| |
| 作者单位： | 云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;云南大学材料科学与工程系,昆明,650091 |
| |
| 摘 要： | 采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.
|
| 关 键 词： | Si薄膜 离子束溅射 束流 低温 |
Growth of Silicon Crystal Films by Ion Beam Sputtering at Low Temperature |
| |
| SONG Chao,YANG Ruidong,FENG Linyong,YANG Yu. Growth of Silicon Crystal Films by Ion Beam Sputtering at Low Temperature[J]. Materials Review, 2007, 21(8): 140-142 |
| |
| Authors: | SONG Chao YANG Ruidong FENG Linyong YANG Yu |
| |
| Affiliation: | Department of Material Science and Engineering, Yunnan University, Kunming 650091 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon film ion beam sputtering ion beam current low temperature |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
