纳米三氧化钨的合成及气敏性能研究

三氧化钨作为一种宽禁带的n型半导体,它在气敏传感和催化领域受到了广泛的关注,通过在不同温度下,以钨酸钠和盐酸为原料制得钨酸前驱体,钨酸经过水热反应得到纳米WO_3化合物,对产物进行X射线衍射(XRD)表征,制得的纳米WO_3为六方晶型,且结晶度较高。在不同浓度乙醇和丙酮的情况下,制备的产物均具有一定的响应性,在0.5 g硫脲作助剂下,40℃下制得的钨酸经水热反应后的产物具有最优的气敏性能。