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PCVD技术在InSb CID焦平面阵列的应用
作者姓名:李汝彬
作者单位:华北光电技术研究所
摘    要:本文系统描述了用PCVD(光化学汽相淀积)技术在InSb衬底上沉积SiOxNy介质膜的工艺过程。对SiOxNy膜进行测试分析,并用它作介质膜,钝化膜,作出了性能较好的InSb CID焦平面器件。

关 键 词:PCVD技术 InSb CID 焦平面阵列 红外
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