| 石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴渊文,张燕辉,陈志蓥,王彬,于广辉.石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响[J].功能材料与器件学报,2012,18(4):309-313. |
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| 作者姓名： | 吴渊文 张燕辉 陈志蓥 王彬 于广辉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050
2. 大连理工大学,物理与光电工程学院,大连116024 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜。利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征。通过对转移到SiO2衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著。石墨烯连续膜的晶畴尺寸越大,其方块电阻越小,载流子迁移率越高。
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| 关 键 词： | 石墨烯 单晶 化学气相沉积 拉曼 电学性质 |
The Controllable Grain Size Synthesis of Graphene and its Effects in Electrical Property |
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| WU Yuan-wen
,
ZHANG Yan-hui
,
CHEN Zhi-ying
,
WANG Bin
,
YU Guang-hui.The Controllable Grain Size Synthesis of Graphene and its Effects in Electrical Property[J].Journal of Functional Materials and Devices,2012,18(4):309-313. |
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| Authors: | WU Yuan-wen ZHANG Yan-hui CHEN Zhi-ying WANG Bin YU Guang-hui |
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| Affiliation: | 1(1.State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China; 2.School of Physics and Optoelectronic Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China) |
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| Abstract: | |
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