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高效大功率LED用蓝宝石图形衬底制备的研究进展
引用本文:桂全宏,周福强,汪桂根,崔林,黎凌华,严帅,韩杰才.高效大功率LED用蓝宝石图形衬底制备的研究进展[J].功能材料,2012,43(21):2886-2892.
作者姓名:桂全宏  周福强  汪桂根  崔林  黎凌华  严帅  韩杰才
作者单位:1. 深圳市沃尔核材股份有限公司,广东深圳,518031
2. 哈尔滨工业大学深圳研究生院,广东深圳,518055
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:近年来,图形化的蓝宝石衬底在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著,引起了广泛的研究兴趣。综述了蓝宝石图形衬底的制备方法(干法刻蚀、湿法刻蚀、外延生长法),并较系统地介绍了蓝宝石图形衬底表面周期性图形参数(图形形貌、图案尺寸、图形占位比及其深度)对LED发光薄膜及器件的影响及其机理,最后对蓝宝石图形衬底的发展趋势进行了展望。

关 键 词:蓝宝石图形衬底  GaN  LED

Research progress in the preparation of patterened sapphire substrates for high-efficiency and high-power GaN-based LEDs
GUI Quan-hong,ZHOU Fu-qiang,WANG Gui-gen,CUI Lin,LI Ling-hua,YAN Shuai,HAN Jie-cai.Research progress in the preparation of patterened sapphire substrates for high-efficiency and high-power GaN-based LEDs[J].Journal of Functional Materials,2012,43(21):2886-2892.
Authors:GUI Quan-hong  ZHOU Fu-qiang  WANG Gui-gen  CUI Lin  LI Ling-hua  YAN Shuai  HAN Jie-cai
Affiliation:1.Shenzhen Woer Heat-shrinkable Material co.LTD,Shenzhen 518055,China; 2.Shenzhen Graduate School,Harbin Institute of Technology,Shenzhen 518055,China)
Abstract:
Keywords:patterned sapphire substrate  GaN  LED
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