| GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响 |
| |
| 引用本文： | 孙丽媛,高志远,张露,马莉,吴文蓉,邹德恕.GaAs材料ICP刻蚀中光刻胶厚度及刻蚀条件对侧壁倾斜度的影响[J].功能材料与器件学报,2012,18(4):283-290. |
| |
| 作者姓名： | 孙丽媛 高志远 张露 马莉 吴文蓉 邹德恕 |
| |
| 作者单位： | 北京工业大学,北京光电子技术教育部重点实验室,北京100124 |
| |
| 基金项目： | 北京工业大学博士科研启动基金，北京工业大学研究生科技基金 |
| |
| 摘 要： | 使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大时小线宽图形侧壁倾角...
|
| 关 键 词： | ICP刻蚀 光刻胶 侧壁倾角 刻蚀选择比 |
The influence of photopersist thickness and etching condition on the slope angle during the ICP etching process of GaAs |
| |
| SUN Li-yuan
,
GAO Zhi-yuan
,
ZHANG Lu
,
MA Li
,
WU Wen-rong
,
ZOU De-shu.The influence of photopersist thickness and etching condition on the slope angle during the ICP etching process of GaAs[J].Journal of Functional Materials and Devices,2012,18(4):283-290. |
| |
| Authors: | SUN Li-yuan GAO Zhi-yuan ZHANG Lu MA Li WU Wen-rong ZOU De-shu |
| |
| Affiliation: | (Beijing University of Technology,Beijing100124,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
