| Zn掺杂Sn2S3薄膜的特性 |
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| 引用本文： | 李云,李健,王艳.Zn掺杂Sn2S3薄膜的特性[J].功能材料,2012,43(22):3180-3184. |
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| 作者姓名： | 李云 李健 王艳 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特010021 内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特010021
2. 内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古自治区自然科学资助项目，内蒙古自治区高等学校科技资助项目 |
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| 摘 要： | 高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为60.5(Ω·cm),比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn 9%(质量分数)薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。
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| 关 键 词： | Sn2S3薄膜 Zn掺杂 单源共蒸发 热处理 电、光特性 |
Properties of Zn-doped Sn2S3 thin films |
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| LI Yun,LI Jian,WANG Yan.Properties of Zn-doped Sn2S3 thin films[J].Journal of Functional Materials,2012,43(22):3180-3184. |
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| Authors: | LI Yun LI Jian WANG Yan |
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| Affiliation: | 1(1.School of Physical Science and Technology,Inner Mongol University,Hohhot 010021,China; 2.Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology for Colleges of Inner Mongolia Autonomous Region,Hohhot 010021,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sn283 thin film Zn-doped single source co-evaporation heat-treatment electrical and optical properties |
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