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| 一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计 | |
| 引用本文： | 王宇星,吴金.一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计[J].机电信息,2009(36):176-178. |
| 作者姓名： | 王宇星 吴金 |
| 作者单位： | [1]无锡科技职业学院,江苏无锡214028 [2]东南大学无锡分校,江苏无锡214135 |
| 摘 要： | 提出了一种低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电路。电路采用电流模BGR结构，采用对VBE的线性补偿方法。利用BISM 3模型，电源电压可在5V，在-55—125℃温度范围内，温度系数为6.034ppm／℃。在低电源电压，低频下PSRR为-73dB。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。 |
| 关 键 词： | CMOS带隙基准源 低压 曲率补偿 温度系数 |
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