| 用~(75)As~ 和~(132)Xe~ 离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析 |
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| 引用本文： | 赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌,夏日源,谭春雨,李金华,张永恩,刘清前.用~(75)As~ 和~(132)Xe~ 离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析[J].核技术,1982(4). |
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| 作者姓名： | 赵玉华 郑胜男 许国基 徐永昌 夏日源 谭春雨 李金华 张永恩 刘清前 |
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| 作者单位： | 中国科学院原子能研究所
(赵玉华，郑胜男，许国基，徐永昌)，山东大学
(夏日源，谭春雨，李金华，张永恩)，山东大学(刘清前) |
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| 摘 要： | 阳极氧化生成的Al_2O_3是一种重要的非晶电解质材料,而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外,Al_2O_3薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜,因此,准确的测定Al_2O_3薄膜的厚度和注入离子在Al_2O_3中的射程及射程分布,以选择合适的离子注入条件,在半导体器件的生产中是很重要的。 我们利用2MeV的~4He~ 离子束测定了Al_2O_3中~(75)As 和~(132)Xe~ 的注入剂量、射程和射程分布,并对阳
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