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分类号
杂志ISSN号
用~(75)As~ 和~(132)Xe~ 离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析
作者姓名:
赵玉华
郑胜男
许国基
徐永昌
夏日源
谭春雨
李金华
张永恩
刘清前
作者单位:
中国科学院原子能研究所(赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌),山东大学(夏日源,谭春雨,李金华,张永恩),山东大学(刘清前)
摘 要:
阳极氧化生成的Al_2O_3是一种重要的非晶电解质材料,而非晶电解质材料是有待进一步开发和研究的新材料。另外,Al_2O_3薄膜可以用来作为半导体材料定域掺杂的掩膜,因此,准确的测定Al_2O_3薄膜的厚度和注入离子在Al_2O_3中的射程及射程分布,以选择合适的离子注入条件,在半导体器件的生产中是很重要的。 我们利用2MeV的~4He~ 离子束测定了Al_2O_3中~(75)As 和~(132)Xe~ 的注入剂量、射程和射程分布,并对阳
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