| V／III比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响 |
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| 引用本文： | 肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉.V／III比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响[J].半导体学报,2005,26(13):16-19. |
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| 作者姓名： | 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心，北京 100083 |
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| 摘 要： | 由于生长InN所需平衡氮气压较高，而且InN分解温度比较低，因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴，使InN外延膜的表面形貌变差，影响InN外延膜质量的提高. 通过研究V／III比和生长温度对RF-MBE生长InN外延膜表面形貌的影响，发现V／III比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响. 通过选择合适的V／III比和生长温度，得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
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| 关 键 词： | InN RF-MBE XRD |
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