V/III比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响 |
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作者姓名: | 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083;中国科学院半导体研究所 材料中心,北京 100083 |
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摘 要: | 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高. 通过研究V/III比和生长温度对RF-MBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现V/III比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响. 通过选择合适的V/III比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
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关 键 词: | InN RF-MBE XRD |
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