| Al2O3高k栅介质的可靠性 |
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| 引用本文： | 杨红,康晋锋,韩德栋,任驰,夏志良,刘晓彦,韩汝琦.Al2O3高k栅介质的可靠性[J].半导体学报,2003,24(9):1005-1008. |
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| 作者姓名： | 杨红 康晋锋 韩德栋 任驰 夏志良 刘晓彦 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所，北京100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000356; |
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| 摘 要： | 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3．45nm的Al2O3栅介质MOS电容，研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征．击穿实验显示，样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV／cm.在时变击穿的实验中，Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象．不同栅压应力作用的测试结果表明，介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素，其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C／cm^2．
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| 关 键 词： | 高k栅介质 可靠性 时变击穿 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)09-1005-04 |
| 修稿时间： | 2002年11月8日 |
Reliability of Al2O3 High k Dielectric |
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| Yang Hong,Kang Jinfeng,Han Dedong,Ren Chi,Xia Zhiliang,Liu Xiaoyan and Han Ruqi.Reliability of Al2O3 High k Dielectric[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(9):1005-1008. |
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| Authors: | Yang Hong Kang Jinfeng Han Dedong Ren Chi Xia Zhiliang Liu Xiaoyan and Han Ruqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high k gate dielectric reliability time-dependent dielectric breakdown |
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