| ACRT-B法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体的溶质分凝特性 |
| |
| 引用本文： | 常永勤,介万奇,郭喜平,陈福义,安卫军.ACRT-B法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体的溶质分凝特性[J].功能材料,2002,33(6):638-639,642. |
| |
| 作者姓名： | 常永勤 介万奇 郭喜平 陈福义 安卫军 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
| |
| 基金项目： | ;国家自然科学基金资助项目(59872027);航空科学基金资助项目(98G53099) |
| |
| 摘 要： | 研究了ACRT－B法生长的Mn0.2Cd0.9In2Te4晶体中界面形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数，发现结晶界面为椭球形；采用理想配比生长MnxCd1-xIn2Te4晶体，其4种组元并不按（Mn,Cd):In:Te=1:2:4比例结晶，而是要重新分布；通过数学方法处理实验数据得到Mn,Cd,In的分凝因数在α相区分别为1．286，1．9257和0．7294，在β相区则分别为1．12，1．055和0．985。
|
| 关 键 词： | MnxCd1－xIn2Te4晶体 ACRT－B法 界面 分凝因数 磁性半导体 |
| 文章编号： | 1001-9731(2002)06-0638-02 |
Compositional redistribution of the MnxCd1-xIn2Te4 ingot grown by ACRT-B method |
| |
| CHANG Yong qin,JIE Wan qi,GUO Xi ping,CHEN Fu yi,AN Wei jun.Compositional redistribution of the MnxCd1-xIn2Te4 ingot grown by ACRT-B method[J].Journal of Functional Materials,2002,33(6):638-639,642. |
| |
| Authors: | CHANG Yong qin JIE Wan qi GUO Xi ping CHEN Fu yi AN Wei jun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ACRT B method Mn x Cd 1- x In 2Te 4 interface solute partition ratio |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
