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| MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续) | |
| 引用本文： | 吴巨,金鹏,吕小晶,王占国,曾一平,王宝强,姚然. MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续)[J]. 微纳电子技术, 2008, 45(9) |
| 作者姓名： | 吴巨 金鹏 吕小晶 王占国 曾一平 王宝强 姚然 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083 2. 中国科学院,半导体研究所半导体材料中心,北京,100083 3. 中国科学院,半导体研究所白光中心,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 3.2 InAs/GaAs(001) 与Ge/Si量子点实验研究结果的普适性和简单性相比,InAs/GaAs的情况要复杂得多,对生长条件的敏感性也要高许多.G.Constantini等人[46]提出对Ge/Si体系的观察结果也同样适用于InAs/GaAs,但是他们的InAs量子点生长是以在500℃、0.008 ML/s的速率进行的. |
| 关 键 词： | 自组装量子点 生长条件 结构形态 InAs／GaAs InAs量子点 MBE GaAs（001） 平衡形态 |
Investigations on the Growth and Configurations of Self-Assembled Quantum Dots in MBE (Continued) |
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| Wu Ju,Jin Peng,Lü Xiaojing,Wang Zhanguo,Zeng Yiping,Wang Baoqiang,Yao Ran. Investigations on the Growth and Configurations of Self-Assembled Quantum Dots in MBE (Continued)[J]. Micronanoelectronic Technology, 2008, 45(9) | |
| Authors: | Wu Ju Jin Peng Lü Xiaojing Wang Zhanguo Zeng Yiping Wang Baoqiang Yao Ran |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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