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杂志ISSN号
利用电子辐照效应改造硅外延PNP晶体管
作者姓名:
王忠安
郭世民
作者单位:
北京大学(王忠安),北京半导体器件五厂(郭世民)
摘 要:
本文介绍了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成开关晶体管的一种新方法,实用证明该方法是成功的,可取代传统的掺金工艺。文中报道了用深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究电子辐照引入缺陷的性质,证明这些缺陷具有很好的热稳定性;测到了H(0.41)能级。
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