| 半导体制冷晶体直接镀镍的研究 |
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| 引用本文： | 陈良杰. 半导体制冷晶体直接镀镍的研究[J]. 电镀与环保, 2003, 23(4): 15-16 |
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| 作者姓名： | 陈良杰 |
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| 作者单位： | 上海申和热磁电子有限公司,上海,200435 |
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| 摘 要： | 1 前言我公司是一个生产半导体制冷器的企业 ,在半导体N型、P型基材表面上需进行电镀。至今一直采用如下工艺 :晶片基材喷砂喷镍喷砂预镀镍镀镍浸锡切割组立上述表面处理工艺环节过多 ,成本较高 ,喷砂、喷镍中易引起晶片破裂。同时 ,因晶片表面受到高温、高压的冲击 ,影响制冷性能 ,导致半导体制冷器最高温差在△ 74°C ,低于国际先进水平的△ 76°C。据介绍 ,如果减少对晶体的热冲击 ,采用在半导体N型、P型晶片表面直接电镀 ,可以把温差提高 1.5～2 .0°C。但由于半导体制冷材料的特性 ,在这上面直接电镀镍层 ,镀层结合力不够稳定 ,平…
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| 关 键 词： | 半导体制冷晶体 直接镀镍 致冷基板 化学镀镍 温差 |
| 文章编号： | 1000-4742(2003)04-0015-02 |
| 修稿时间： | 2003-01-05 |
A Study of Direct Ni Plating on Semiconductor Refrigeration Crystals |
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