| 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜 |
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| 引用本文： | 徐庆庆,陈新强,魏彦锋,曹妩媚,赵守仁,杨建荣.采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜[J].激光与红外,2005,35(11):842-844. |
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| 作者姓名： | 徐庆庆 陈新强 魏彦锋 曹妩媚 赵守仁 杨建荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083 |
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| 摘 要： | 文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe。获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0. 30 ～0. 33,薄膜厚度为10 ～15μm,表面缺陷密度为500cm- 2 ,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2 ×105 cm- 2 ,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别。
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| 关 键 词： | CdZnTe衬底 HgCdTe薄膜材料 液相外延 |
| 文章编号： | 1001-5078（2005）11-0842-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-26 |
| 修稿时间： | 2005-08-26 |
The LPE Growth of HgCdTe Film on (211) CdZnTe Substrate |
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| XU Qing-qing,CHEN Xin-qiang,WEI Yan-feng,CAO Wu-mei,ZHAO Shou-ren,YANG Jian-rong.The LPE Growth of HgCdTe Film on (211) CdZnTe Substrate[J].Laser & Infrared,2005,35(11):842-844. |
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| Authors: | XU Qing-qing CHEN Xin-qiang WEI Yan-feng CAO Wu-mei ZHAO Shou-ren YANG Jian-rong |
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| Abstract: | HgCdTe LPE technique on (211) CdZnTe substrate is studied to test the feasibility of CdTe /Si comp lex substrate app lied in LPE technique. The defect density of the film surface is about 500 / cm- 2. The FWHM of the x-ray rocking curve is 24 arcsec. The EPD of the film is 2 ×105 / cm -2. The surface morphology of the film is found to be quite different from that of the HgCdTe LPE film grown on (111) CdZnTe. |
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| Keywords: | CdZnTe substrate HgCdTe film LPE |
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