| N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 王代强,陈雨青,杨发顺,徐希嫔,刘桥.N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响[J].真空,2010,47(6). |
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| 作者姓名： | 王代强 陈雨青 杨发顺 徐希嫔 刘桥 |
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| 基金项目： | 国家科技部科技人员服务企业项目，贵州省自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响,通过实验验证,选择N2-Ar流量比在1.525左右可获得质量较好的AlN薄膜(100取向)。
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| 关 键 词： | 流量比 AlN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量 |
Effect of N2-Ar flow ratio on AlN thin films on Si-substrate by DC magnetron sputtering |
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| WANG Dai-qiang,CHEN Yu-qing,YANG Fa-shun,XU Xi-pin,LIU Qiao.Effect of N2-Ar flow ratio on AlN thin films on Si-substrate by DC magnetron sputtering[J].Vacuum,2010,47(6). |
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| Authors: | WANG Dai-qiang CHEN Yu-qing YANG Fa-shun XU Xi-pin LIU Qiao |
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