| PC型HgCdTe中记忆效应的激子解释 |
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| 引用本文： | 刘晓然 陆建. PC型HgCdTe中记忆效应的激子解释[J]. 光电子．激光, 1998, 9(6): 450-452,468 |
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| 作者姓名： | 刘晓然 陆建 |
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| 作者单位： | 南京理工大学应用物理系 |
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| 基金项目： | 国家教委跨世纪优秀人才计划基金,霍英东教育基金,高校青年教师基金,江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文对低温下激光与ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光照射后将产生的记忆效应进行了研究。根据本文提出的激光诱导激子的物理模型，得到了ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ在激光作用时电导率下降是激子对载流子散射的结论。理论计算结果与实验结果基本一致。
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| 关 键 词： | PC型 记忆效应 激子 电导率 红外探测器 |
The Excitons model Explaining on Remaining Effect of the PC type HgCdTe |
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| Liu Xiaoran Lu Jian Shen Zhonghua Chen Jianping Ni Xiaowu. The Excitons model Explaining on Remaining Effect of the PC type HgCdTe[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 1998, 9(6): 450-452,468 |
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| Authors: | Liu Xiaoran Lu Jian Shen Zhonghua Chen Jianping Ni Xiaowu |
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| Keywords: | PC type HgCdTe remainning effect excitons model |
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