| 0.8μm CMOS/SOI模型参数提取 |
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| 引用本文： | 孙大成,陈智.0.8μm CMOS/SOI模型参数提取[J].微处理机,2009,30(5):7-8. |
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| 作者姓名： | 孙大成 陈智 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032 |
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| 摘 要： | 0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型.介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器件与体硅器件之间模型的差异,最后给出测试数据及参数测试结果的拟合情况.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅(SOI) 模型参数提取 拟合 |
Parameter Model Extraction of 0.8 Micron CMOS/SOI Technology |
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| SUN Da-cheng,CHEN Zhi.Parameter Model Extraction of 0.8 Micron CMOS/SOI Technology[J].Microprocessors,2009,30(5):7-8. |
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| Authors: | SUN Da-cheng CHEN Zhi |
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