| 氮化镓薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 李忠,魏芹芹,杨利,薛成山.氮化镓薄膜的研究进展[J].微细加工技术,2003(4):39-44. |
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| 作者姓名： | 李忠 魏芹芹 杨利 薛成山 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子学院,济南,250014 |
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| 摘 要： | 主要讨论了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题，并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。
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| 关 键 词： | 氮化镓薄膜 掺杂 衬底 缓冲层 |
| 文章编号： | 1003-8213(2003)04-0039-06 |
| 修稿时间： | 2003年8月20日 |
Development of Gallium Nitride Thin Films |
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| LI Zhong,WEI Qin-qin,YANG Li,XUE Cheng-shan.Development of Gallium Nitride Thin Films[J].Microfabrication Technology,2003(4):39-44. |
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| Authors: | LI Zhong WEI Qin-qin YANG Li XUE Cheng-shan |
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| Abstract: | The fabricating techniques for the GaN thin film and related issues,such as the doping,substrate and buffers,are discussed.The main problems in the current research of GaN and its application prospects are also proposed. |
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| Keywords: | GaN thin films semiconductor |
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