| 适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术 |
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| 引用本文： | 魏珂,刘训春,曹振亚,王润梅,罗明雄,牛立华. 适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术[J]. 半导体学报, 2003, 24(11): 1222-1225 |
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| 作者姓名： | 魏珂 刘训春 曹振亚 王润梅 罗明雄 牛立华 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心，北京100029 |
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| 摘 要： | 采用ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚Si O2 陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题,刻蚀获得12 .4 μm的陡直Si O2 光波导剖面,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中.
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| 关 键 词： | 阵列波导光栅(AWG) SiO2 感应耦合等离子体刻蚀(ICP) |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)11-1222-04 |
| 修稿时间： | 2002-11-28 |
A Deep Vertical SiO2 Etching Technique for AWG Fabrication |
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| Wei Ke,Liu Xunchun,Cao Zhenya,Wang Runmei,Luo Mingxiong and Niu Lihua. A Deep Vertical SiO2 Etching Technique for AWG Fabrication[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(11): 1222-1225 |
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| Authors: | Wei Ke Liu Xunchun Cao Zhenya Wang Runmei Luo Mingxiong Niu Lihua |
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| Abstract: | Aarrayed waveguide grating(AWG) multiplexer is the key device among all the demulti/multiplexer.The difficulty in an AWG fabrication is deep vertical SiO 2 etching.Using ICP 98 high density plasma etcher,a deep vertical SiO 2 etching technology is demonstrated and is used to etch an AWG.The micro mask phenomenon is solved by using double mask technology. |
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| Keywords: | arrayed waveguide grating SiO 2 inductively coupled plasma etching |
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