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| Ⅲ-Ⅴ族化合物的原子层外延 | |
| 作者姓名： | 邓志杰 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 本文介绍了原子层外延(ALE)的基本原理、应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术及 ALE 的工艺特点与生长机理。指出了 ALE 是继 MBE、MOCVD 之后又一新的可控制到单原子层生长的外延技术,它将影响 GaAs 材料和器件的未来。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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