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| 激光脉冲外延生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜及其特性研究 | |
| 引用本文： | 刘瑜,程秀兰,谢四强.激光脉冲外延生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜及其特性研究[J].功能材料,2007,38(5):734-736,739. |
| 作者姓名： | 刘瑜 程秀兰 谢四强 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学,微电子学院,上海,200030;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海,201203 2. 上海交通大学,微电子学院,上海,200030 3. 电子科技大学,电子工程学院,四川,成都,610054 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100) Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响.研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延(100)PZT薄膜.在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5 μC/cm2和52.1kV/cm.试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去. |
| 关 键 词： | PZT 异质外延生长 激光脉冲沉积 LaNiO3 铁电 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）05-0734-03 |
| 修稿时间： | 2006-09-262007-04-12 |
Study on pulsed laser hetero-epitaxial growth and properties of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 film |
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| LIU Yu,CHENG Xiu-lan,XIE Si-qiang.Study on pulsed laser hetero-epitaxial growth and properties of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 film[J].Journal of Functional Materials,2007,38(5):734-736,739. | |
| Authors: | LIU Yu CHENG Xiu-lan XIE Si-qiang |
| Affiliation: | 1. School of Microelectronics, Shanghai JiaoTong University, Shanghai 200030,China; 2. Semiconductor Manufacture International Corporation (Shanghai |
| Abstract: | |
| Keywords: | PZT pulsed laser deposition hetero-epitaxial growth LaNiO3 ferroelectricity |
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