| 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长InxGa1-xAs/GaAsQD的影响 |
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| 引用本文： | 于磊 曾一平 潘量 孔梅影 李晋闽 李灵霄. 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长InxGa1-xAs/GaAsQD的影响[J]. 半导体学报, 2000, 21(7): 652-656 |
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| 作者姓名： | 于磊 曾一平 潘量 孔梅影 李晋闽 李灵霄 |
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| 作者单位： | 于磊（中国科学院半导体研究所新材料部，北京100083）;曾一平（中国科学院半导体研究所新材料部，北京 100083）;潘量（中国科学院半导体研究所新材料部，北京 100083）;孔梅影（中国科学院半导体研究所新材料部，北京 100083）;李晋闽（中国科学院半导体研究所新材料部，北京 100083）;李灵霄（中国科学院半导体研究所新材料部，北京 100083） |
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| 摘 要： | 研究GaAs基In
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| 关 键 词： | In |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)07-0652-05 |
| 修稿时间： | 1999-05-14 |
Influence of Growth Rateand Substrate Temperature on Self-Organized InxGa1-xAs/GaAs Quantum Dots Grown by MBE |
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| YU Lei ,ZENG Yi-ping ,PAN Liang,KONG Mei-ying ,LI Jin-min ,LI Ling-xiao. Influence of Growth Rateand Substrate Temperature on Self-Organized InxGa1-xAs/GaAs Quantum Dots Grown by MBE[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 652-656 |
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| Authors: | YU Lei ZENG Yi-ping PAN Liang KONG Mei-ying LI Jin-min LI Ling-xiao |
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| Affiliation: | YU Lei ,ZENG Yi-ping ,PAN Liang,KONG Mei-ying ,LI Jin-min ,LI Ling-xiao ;(Department of New Materials, Institute of Semiconductors, The Chinese Academy ofSciences, Beijing 100083, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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