低位错锑化铟单晶的研制 |
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引用本文: | 汪鼎国.低位错锑化铟单晶的研制[J].稀有金属,1984(2). |
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作者姓名: | 汪鼎国 |
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作者单位: | 峨眉半导体材料研究所 |
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摘 要: | 在高频直拉单晶炉中,适当增加石英坩埚的高度,并在坩埚外附加一个石英套管,使之形成一个较为合理的热场。在这个新的热场中已拉制出直径为20~30毫米的低位错密度的Insb单晶。其位错密度接近于10~2厘米~(-2)。从而使InSb单晶的位错密度比原先制备的至少下降一个数量级以上。结合直拉单晶工艺和缩颈技术,对排除和降低位错的措施进行较为详细的实验研究,并就两种热场拉制的InSb单晶进行了位错对比分析和讨论。同时,观察到籽晶与熔体接触面因热冲击而新生的位错,其密度约为3×10~2厘米~(-2)。
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