首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
高氧高碳硅单晶中的氧碳沉淀及其形成的二次缺陷
作者姓名:
张一心
程美乔
张泽华
刘淑琴
作者单位:
中国科学院半导体研究所(张一心,程美乔,张泽华),中国科学院半导体研究所(刘淑琴)
摘 要:
本文报道高氧高碳cz硅单晶中的氧碳沉淀及其相互作用的研究.确定了氧碳沉淀的主要形态为无定形SiO_2和颗粒状的SiC.得出了氧碳不发生沉淀的临界值及氧影响碳沉淀和碳影响氧沉淀的下限值.考查了形成二次缺陷的条件及其产生的缺陷类型.
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号