| 双极场引晶体管:Ⅵ.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)(英文) |
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| 引用本文： | 揭斌斌,薩支唐.双极场引晶体管:Ⅵ.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)(英文)[J].半导体学报,2008(11). |
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| 作者姓名： | 揭斌斌 薩支唐 |
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| 作者单位： | 北京大学;佛罗里达大学;中国科学院; |
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| 基金项目： | the CTSAH Associates(CTSA)~~ |
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| 摘 要： | 本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现.通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性.方程是基于这种器件结构:在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触.内部条件和CMOS边界条件用于三种势(静电势和电子及空穴电化学势).用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.
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| 关 键 词： | 双极场引晶体管理论 表面沟道 体积沟道 CMOS倒相器 CMOS-BiFET |
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