| 钒离子注入硅合成硅化钒薄层 |
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| 引用本文： | 张通和,吴瑜光.钒离子注入硅合成硅化钒薄层[J].微细加工技术,2000(1):21-25,9. |
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| 作者姓名： | 张通和 吴瑜光 |
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| 作者单位： | 北京师范大学,低能核物理所,教育部射线束材料工程开放实验室,北京100875 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(59671051)和863计划的资助项目 |
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| 摘 要： | 用大束流密度的钒金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钒相生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降吵流密度为２５μＡ／ｃｍ＾２时，Ｒｓ达到最小值２２Ω／□，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了Ｖ３Ｓｉ、Ｖ５Ｓｉ３、Ｖ３Ｓｉ５和ＶＳｉ２四种硅化钒。经过退炎后，Ｒｓ明显地下降，Ｒｓ最大可降到９Ω／□，电阻主可小到７２μΩｍ，说明硅化钒薄层质量得到了进
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| 关 键 词： | 离子注入 硅化物 硅化钒 薄膜 集成电路 |
| 文章编号： | 1003-8213(2000)01-0004-06 |
Synthesis of thin layer V silicides by means of V implantation |
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| ZHANG Tong-he,WU Yu-guang.Synthesis of thin layer V silicides by means of V implantation[J].Microfabrication Technology,2000(1):21-25,9. |
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| Authors: | ZHANG Tong-he WU Yu-guang |
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| Affiliation: | ZHANG Tong-he
,WU Yu-guang
;(Institute of Low Energy Nuclear Physics, Radiation Beam and Materials engineering open Laboratory, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | V ion implantation silicon silicide synthesis rapid thermal annealing large ion flux |
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