RF反应溅射条件对ZnO透明导电薄膜的影响 |
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引用本文: | 倪星元,吴永刚,吴广明,周箴,张慧琴,金哲民.RF反应溅射条件对ZnO透明导电薄膜的影响[J].材料科学与工程学报,1998(2). |
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作者姓名: | 倪星元 吴永刚 吴广明 周箴 张慧琴 金哲民 |
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作者单位: | 同济大学 |
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摘 要: | ZnO薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用RF磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ZnO透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为7.5×10-3Ωcm;可见光透射率约为85%;载流子浓度为5.7×1019cm-3;霍尔迁移率为5.99cm2/v·s。影响ZnO透明导电薄膜性能的因素很多,但是溅射用的靶体材料,反应溅射时的温度控制以及反应的氧气氛的控制尤为重要,实验表明使用掺有3.0wt%Al2O3的ZnO靶,基片温度控制在300℃,氧氩比为1∶10能制备出性能比较好的透明导电薄膜。本文对这三方面的影响进行实验并讨论了有关结果。
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关 键 词: | ZnO薄膜 RF溅射 透明导电薄膜 |
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