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同步降压式转换器芯片带隙基准源的设计
引用本文:林一超,张晓波,陈小鸥,屈磊,王瑞.同步降压式转换器芯片带隙基准源的设计[J].电子世界,2014(17):143-144.
作者姓名:林一超  张晓波  陈小鸥  屈磊  王瑞
作者单位:北方工业大学
摘    要:采用CMOS工艺设计了同步降压式转换器芯片中的带隙基准电压源电路,并用CSMC 0.35μm混合CMOS工艺模型进行了仿真。基准电压1.2V,在2V~5V输入电压范围内输出电压变化小于0.5mV。-40℃~120℃温度范围,输出电压温度系数小于30ppm。并且电路有使能控制和软启动功能,具有较低功耗和良好的瞬态响应。

关 键 词:带隙基准  同步降压  软启动
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