同步降压式转换器芯片带隙基准源的设计 |
| |
引用本文: | 林一超,张晓波,陈小鸥,屈磊,王瑞.同步降压式转换器芯片带隙基准源的设计[J].电子世界,2014(17):143-144. |
| |
作者姓名: | 林一超 张晓波 陈小鸥 屈磊 王瑞 |
| |
作者单位: | 北方工业大学 |
| |
摘 要: | 采用CMOS工艺设计了同步降压式转换器芯片中的带隙基准电压源电路,并用CSMC 0.35μm混合CMOS工艺模型进行了仿真。基准电压1.2V,在2V~5V输入电压范围内输出电压变化小于0.5mV。-40℃~120℃温度范围,输出电压温度系数小于30ppm。并且电路有使能控制和软启动功能,具有较低功耗和良好的瞬态响应。
|
关 键 词: | 带隙基准 同步降压 软启动 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|