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基于SOS的高重频高压纳秒脉冲源设计
引用本文:石小燕,梁勤金,潘文武. 基于SOS的高重频高压纳秒脉冲源设计[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 14(1): 122-126
作者姓名:石小燕  梁勤金  潘文武
作者单位:1.Institute of Applied Electronics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang Sichuan 621999,China;2. Science and Technology on High Power Microwave Laboratory,Mianyang Sichuan 621999,China,1.Institute of Applied Electronics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang Sichuan 621999,China;2. Science and Technology on High Power Microwave Laboratory,Mianyang Sichuan 621999,China and Institute of Applied Electronics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang Sichuan 621999,China
基金项目:中国工程物理研究院重点基金资助项目(2013A0402021)
摘    要:依据高重频高压纳秒脉冲输出的要求,基于半导体断路开关(SOS)的工作特点,设计了高重频高压纳秒脉冲源脉冲发生器线路。分析发生器线路的工作原理,对输出脉冲幅度50 kV/100 Ω、脉宽约10 ns~20 ns和重复频率100 kHz脉冲源的线路中关键器件的参数进行了计算。分析关键器件SOS、饱和脉冲变压器、副开关要求,给出了关键器件的选型参考。

关 键 词:高重频高压纳秒脉冲;半导体断路开关;脉冲源;饱和脉冲变压器
收稿时间:2014-12-03
修稿时间:2015-01-24

Design of the high repetition high voltage nanosecond pulse generator based on SOS
SHI Xiaoyan,LIANG Qinjin and PAN Wenwu. Design of the high repetition high voltage nanosecond pulse generator based on SOS[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2016, 14(1): 122-126
Authors:SHI Xiaoyan  LIANG Qinjin  PAN Wenwu
Abstract:
Keywords:
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