|
|||||
|
|
| 高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象 | |
| 作者姓名： | 施卫 梁振宪 |
| 作者单位： | [1]西安理工大学应用物理系 [2]西安交通大学电气工程学院 |
| 摘 要： | 本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性． |
| 关 键 词： | 砷化镓 光电导开关 半导体光电器件 光激发畴 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |