高能离子注入场区和掺杂的N-MOS工艺

本文讨论制造铝栅N沟MOS电路具有增强和耗尽型器件时使用的5次掩模6次掩模(则多一道热氧化版)的制造方法,这种器件工作时,用单一的正5伏电源供电。离子注入分两步进行,高能硼注入用以掺杂表面,磷注入则形成耗尽型器件。注入硼是为了防止在高阻P型硅衬底上表面反型,并调节增强型器件的阈值。双电荷硼(B~(++))在210仟电子伏特的能量下穿透过9000埃厚的氧化层。这使注入离子分布的峰值刚好是在硅表面的内部。本文主要讨论用这方法制造的MOS/LSI电路增强和耗尽型器件的性能。