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| InP材料体系RTD的研制 | |
| 引用本文： | 高金环, 杨瑞霞, 武一宾, 贾科进, 商耀辉, 张磊, 杨克武,.InP材料体系RTD的研制[J].电子器件,2007,30(4):1168-1170. |
| 作者姓名： | 高金环 杨瑞霞 武一宾 贾科进 商耀辉 张磊 杨克武 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 摘 要： | 报道了InP衬底AlAs /In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为7.4,峰值电流密度(Jp)为1.06×105A/cm-2,是国内首例成功的InP材料体系RTD. |
| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 InP衬底 PL谱 峰谷电流比 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1168-03 |
| 修稿时间： | 2006-09-07 |
Research on InP-Based Strained In0.53Ga0.47As/AlAs RTD |
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| GAO Jin-huan,YANG Rui-xi,WU Yi-bin,JIA Ke-jin,SHANG Yao-hui,ZHANG Lei YANG Ke-wu.Research on InP-Based Strained In0.53Ga0.47As/AlAs RTD[J].Journal of Electron Devices,2007,30(4):1168-1170. | |
| Authors: | GAO Jin-huan YANG Rui-xi WU Yi-bin JIA Ke-jin SHANG Yao-hui ZHANG Lei YANG Ke-wu |
| Affiliation: | 1. School of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianj in 300130, China ; 2. The 13th Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051, China |
| Abstract: | An InP substrate material resonant tunneling diode(RTD) device with a basic structure of AlAs /In0.53Ga0.47As/AlAs DBSW is reported in the article.Material structure was grown on(001)semi-induction InP substrate by molecular beam epitaxy(MBE) and measured by PL Spectrum.Device is fabricated with mesa technology.DC characteristics for RTD measured at room temperature were Peak-to-valley current ratio(PVCR) is 7.4,and peak current density(JP) is 1.06×105A/cm-2. |
| Keywords: | resonant tunneling diode molecular beam epitaxy mesa structure InP substrate PL Spectrum peak-to-valley current ratio |
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