| SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述 |
| |
| 引用本文： | 梁琳,吴文杰,刘程,潘铭.SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述[J].电工电能新技术,2016(4):56-60. |
| |
| 作者姓名： | 梁琳 吴文杰 刘程 潘铭 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学光学与电子信息学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会《电力电子科教发展计划》(DREG2013004);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金(PPLF2013PZ02);中国国家留学基金委(201308420123)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂、欧姆电极制备以及台面终端造型等在内的多步主要工艺均与Si基RSD完全不同,采用氟基气体感应耦合等离子体(ICP)刻蚀得到了合适的刻蚀速率、表面粗糙度及形貌,采用多次氮离子注入及高温退火完成选择性掺杂,采用Ni/Ti/Al多层金属配合适当退火温度完成欧姆电极制备,采用机械切割斜角完成台面终端造型,最终得到了合理的器件正反向阻断特性。
|
| 关 键 词： | SiC RSD 脉冲功率开关 工艺 ICP刻蚀 离子注入 台面终端造型 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
