LPCVD氮化硅薄膜工艺研究

氮化硅薄膜在半导体器件制造、薄膜加工、MEMS中有着广泛的应用。利用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，在800℃温度下，不同的工艺气体流量比生成的氮化硅薄膜，其薄膜成份中的硅氮比会有不同，造成薄膜特性也不同。通过测试氮化硅薄膜在缓冲腐蚀液（BOE）中的腐蚀速率，来推定氮化硅所含硅氮成分，寻找出适合生产的最佳工艺条件。