| 仿真研究变掺杂缓冲层技术对MOSFET抗SEB能力的改善 |
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| 引用本文： | 胡冬青,吴郁,贾云鹏.仿真研究变掺杂缓冲层技术对MOSFET抗SEB能力的改善[J].电力电子,2011(3). |
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| 作者姓名： | 胡冬青 吴郁 贾云鹏 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电控学院; |
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| 摘 要： | 内透明集电极(Internal Transparent Collector,简称ITC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一类IGBT,其特点是在传统穿通型(PT)IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制(LCLC)区,从物理上屏蔽厚衬底中空穴的注入,使集电区范围变窄、集电区少子有效扩散长度减小,器件集电区由非透明变成内透明。本论文针对600V平面栅ITC IGBT的短路特性进行仿真研究,重点讨论LCLC区的位置及LCLC区内载流子寿命对器件短路的影响。结果显示,对一定的载流子寿命,随着LCLC区距集电结距离减小,器件短路性能增强;而对固定的LCLC区位置,随着LCLC区内载流子寿命降低,器件短路性能进一步改善。所有这些最终都可以归结于背发射极效率的影响。
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| 关 键 词： | 内透明集电极 短路特性 IGBT |
Short Circuit Ability Research of Internal Transparent Collector IGBT |
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