| 4H-SiC钒离子注入层的特性 |
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| 引用本文： | 王超,张玉明,张义门. 4H-SiC钒离子注入层的特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 120-123 |
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| 作者姓名： | 王超 张玉明 张义门 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 摘 要： | 研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性，注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取. 采用一种台面结构进行I-V测试. 钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大，常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2E9～1.6E10Ω·cm和2.0E6～7.6E6Ω·cm.
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| 关 键 词： | 碳化硅；半绝缘；钒离子注入 |
Characteristics of Vanadium Ion-Implanted Layer of 4H-SiC |
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| Wang Chao,Zhang Yuming and Zhang Yimen. Characteristics of Vanadium Ion-Implanted Layer of 4H-SiC[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 120-123 |
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| Authors: | Wang Chao Zhang Yuming Zhang Yimen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC semi-insulating vanadium ion implantation |
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