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| 一种低压低温度系数带隙基准电路设计 | |
| 引用本文： | 张奉江,张红,张正璠.一种低压低温度系数带隙基准电路设计[J].电子元器件应用,2007,9(2):46-48,52. |
| 作者姓名： | 张奉江 张红 张正璠 |
| 作者单位： | [1]重庆邮电大学,重庆400065 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060 [3]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 |
| 摘 要： | 介绍了一种工作在3.3 V电压下,适合于标准CMOS工艺的新型带隙基准电路.由于传统的带隙基准电路是利用三极管的短接电压VBE与热电压VT和kT/q乘积的和产生的.因此其VREF大约为1.25 V,这就限制了低于1 V的带隙输出电压.而新型带隙基准电路的输出电压大约为695 mV,并可方便地减小或者增大.新型电路的输出电压在190℃的温度范围内的变化值只有1.5 mV,它的温度系数大约只有8 ppm/℃. |
| 关 键 词： | 带隙基准 低压 低温度系数 基准电路 |
| 收稿时间： | 2006-10-27 |
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