直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响 |
| |
作者姓名: | 胡莉莉 李德杰 |
| |
作者单位: | 清华大学电子工程系,北京100084 |
| |
摘 要: | 用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构,随氮气分量由5%至30%增加,玻璃衬底上的氮化锆薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向;然后(200)取向逐渐消失,只有(111)单个优化生长取向;最后,没有衍射峰出现,薄膜趋于无定型结构。
|
关 键 词: | 氮化锆 直流反应溅射 氮气分量 结晶取向 电阻率 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|