| X波段GaN HEMT的研制 |
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| 引用本文： | 王勇,冯震,宋建博,李静强,冯志宏,杨克武.X波段GaN HEMT的研制[J].半导体技术,2008,33(8). |
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| 作者姓名： | 王勇 冯震 宋建博 李静强 冯志宏 杨克武 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250 V/10μA.通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50 V/1 mA,栅源击穿电压大于40 V/1 mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20 W,功率增益7 dB,功率密度8 W/mm.
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| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管 肖特基势垒 击穿电压 输出功率 |
Research on X-Band GaN HEMT |
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| Wang Yong,Feng Zhen,Song Jianbo,Li Jingqiang,Feng Zhihong,Yang Kewu.Research on X-Band GaN HEMT[J].Semiconductor Technology,2008,33(8). |
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| Authors: | Wang Yong Feng Zhen Song Jianbo Li Jingqiang Feng Zhihong Yang Kewu |
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| Affiliation: | Wang Yong,Feng Zhen,Song Jianbo,Li Jingqiang,Feng Zhihong,Yang Kewu(National Key Lab. of ASIC,The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN HEMT Schottky barrier breakdown voltage output power |
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